(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7416TRPBF-1
Изображение служит лишь для справки
IRF7416TRPBF-1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Количество в упаковке：4000
- РХОС：Compliant
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Ta)
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRF7416TRPBF-1
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.15
- Пакетирование：Tape & Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Конфигурация：Single
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 5.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.04V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：92 nC @ 10 V
- Время подъема：49 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：-30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：10 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：10 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
- Характеристика ТРП：-
- Допирная сопротивление：20 mΩ
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
