(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF6216TRPBF-1
Изображение служит лишь для справки
IRF6216TRPBF-1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-223
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRF6216TRPBF-1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.29
- Максимальный ток утечки (ID)：2.2 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Код ECCN：EAR99
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：240mOhm @ 1.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1280 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：49 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.24 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
