(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFH7440TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFH7440TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Date Sheet
Lagernummer 32000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：85A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：104W Tc
- Время отключения：53 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®, StrongIRFET™
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：2.4MOhm
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1
- Распад мощности：104W
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.4m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.9V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4574pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：138nC @ 10V
- Время подъема：45ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：42 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：85A
- Пороговое напряжение：2.2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Высота：1.05mm
- Длина：5.85mm
- Ширина：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 32000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
