DDTC122LE-7-F

Name: Diodes Incorporated DDTC122LE-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (15 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SOT-523
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 0.22K 10K
Date Sheet

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-523
Количество контактов：3
Вес：2.012816mg
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：56
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DDTC122
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：56 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：200MHz
База (R1)：220 Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
Высота：750μm
Длина：1.6mm
Ширина：800μm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9000

Итого $0.00000