(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные UNR42160RA
Изображение служит лишь для справки
UNR42160RA
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- 3-SSIP
- TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：3-SSIP
- Поставщик упаковки устройства：NS-B1
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Box (TB)
- Опубликовано：2003
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Моментальный ток：100mA
- Мощность - Макс：300mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：150MHz
- База (R1)：4.7 kOhms
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
