(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1417(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1417(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Date Sheet
Lagernummer 264
- 1+： $0.25242
- 10+： $0.23813
- 100+： $0.22465
- 500+： $0.21193
- 1000+： $0.19994
Zwischensummenbetrag $0.25242
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Мощность - Макс：200mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7 k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 264
- 1+： $0.25242
- 10+： $0.23813
- 100+： $0.22465
- 500+： $0.21193
- 1000+： $0.19994
Итого $0.25242
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
