(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1110ACT(TPL3)
Изображение служит лишь для справки
RN1110ACT(TPL3)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-101, SOT-883
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Date Sheet
Lagernummer 10983
- 1+： $0.25147
- 10+： $0.23723
- 100+： $0.22380
- 500+： $0.21114
- 1000+： $0.19919
Zwischensummenbetrag $0.25147
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Мощность - Макс：100mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150mV
- Максимальный ток сбора：80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- База (R1)：47 k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 10983
- 1+： $0.25147
- 10+： $0.23723
- 100+： $0.22380
- 500+： $0.21114
- 1000+： $0.19919
Итого $0.25147
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
