(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MUN5136T1
Изображение служит лишь для справки
MUN5136T1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Date Sheet
Lagernummer 309
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
- Максимальная потеря мощности：202mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：MUN51**T
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：202mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- База (R1)：100 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：100 k Ω
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 309
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
