Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA114YET1

Изображение служит лишь для справки






DTA114YET1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Date Sheet
Lagernummer 594
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-75, SOT-416
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2009
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:DTA114
- Число контактов:3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:200mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):250mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 300μA, 10mA
- База (R1):10 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 594
Итого $0.00000