(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные BCR08PNH6727XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BCR08PNH6727XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Date Sheet
Lagernummer 48
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-65°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BCR08PN
- Конфигурация элемента：Dual
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода：100MHz
- Частота - Переход：170MHz
- База (R1)：2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 48
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
