(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные UMF23NTR
Изображение служит лишь для справки
UMF23NTR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Date Sheet
Lagernummer 5592
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA 150mA
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：30
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2003
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：6
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz 140MHz
- База (R1)：10k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 5592
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
