(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NXH007F120M3F2PTHG
Изображение служит лишь для справки
NXH007F120M3F2PTHG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：34-PIM (56.7x42.5)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：149A (Tc)
- Пакетирование：Tray
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Конфигурация：4 N-Channel (Full Bridge)
- Мощность - Макс：353W (Tj)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10mOhm @ 120A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.4V @ 60mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9090pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：407nC @ 18V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
Со склада 36
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
