(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTMD6N02R2G
Изображение служит лишь для справки
NTMD6N02R2G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET NFET 20V 0.035R TR
Date Sheet
Lagernummer 13805
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：45 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.92A
- Количество элементов：2
- Время отключения：45 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：35MOhm
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
- Максимальная потеря мощности：2W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：6A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：NTMD6N02
- Число контактов：8
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2W
- Время задержки включения：12 ns
- Мощность - Макс：730mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35m Ω @ 6A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1100pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 4.5V
- Время подъема：50ns
- Время падения (тип)：80 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：6.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Максимальный импульсный ток вывода：30A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：360 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：900 mV
- Высота：1.5mm
- Длина：5mm
- Ширина：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 13805
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
