(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB28N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB28N60EF-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W
Date Sheet
Lagernummer 734
- 1+： $5.45532
- 10+： $5.14653
- 100+： $4.85522
- 500+： $4.58039
- 1000+： $4.32113
Zwischensummenbetrag $5.45532
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：600V
- Drain current：18A
- Pulsed drain current：75A
- Case1：TO263
- Case：D2PAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 734
- 1+： $5.45532
- 10+： $5.14653
- 100+： $4.85522
- 500+： $4.58039
- 1000+： $4.32113
Итого $5.45532
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
