(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHD6N80AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHD6N80AE-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Date Sheet
Lagernummer 42000
- 1+： $0.73583
- 10+： $0.69418
- 100+： $0.65488
- 500+： $0.61781
- 1000+： $0.58284
Zwischensummenbetrag $0.73583
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：800V
- Drain current：3.2A
- Pulsed drain current：10A
- Case1：TO252
- Case：DPAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 42000
- 1+： $0.73583
- 10+： $0.69418
- 100+： $0.65488
- 500+： $0.61781
- 1000+： $0.58284
Итого $0.73583
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
