Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI1070X-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SI1070X-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+: $0.26371
- 10+: $0.24878
- 100+: $0.23470
- 500+: $0.22142
- 1000+: $0.20888
Zwischensummenbetrag $0.26371
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:30V
- Drain current:1.2A
- Pulsed drain current:6A
- Case1:SOT563
- Case:SC89
- Gate-source voltage:±12V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 3000
- 1+: $0.26371
- 10+: $0.24878
- 100+: $0.23470
- 500+: $0.22142
- 1000+: $0.20888
Итого $0.26371