(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI2316DS-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI2316DS-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 16A
Date Sheet
Lagernummer 120000
- 1+： $0.34626
- 10+： $0.32666
- 100+： $0.30817
- 500+： $0.29072
- 1000+： $0.27427
Zwischensummenbetrag $0.34626
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：30V
- Drain current：3.4A
- Pulsed drain current：16A
- Case：SOT23
- Gate-source voltage：±20V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 120000
- 1+： $0.34626
- 10+： $0.32666
- 100+： $0.30817
- 500+： $0.29072
- 1000+： $0.27427
Итого $0.34626
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
