Изображение служит лишь для справки






SI1965DH-T1-GE3
-
VISHAY
-
Контакты - Штыревые разъемы для проводов
- -
- Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Date Sheet
Lagernummer 150
- 1+: $0.27352
- 10+: $0.25803
- 100+: $0.24343
- 500+: $0.22965
- 1000+: $0.21665
Zwischensummenbetrag $0.27352
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:P-MOSFET x2
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:-12V
- Drain current:-1.3A
- Pulsed drain current:-3A
- Case1:SOT363
- Case:SC70-6
- Gate-source voltage:±8V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 150
- 1+: $0.27352
- 10+: $0.25803
- 100+: $0.24343
- 500+: $0.22965
- 1000+: $0.21665
Итого $0.27352