Изображение служит лишь для справки






SIS932EDN-T1-GE3
-
VISHAY
-
Контакты - Штыревые разъемы для проводов
- -
- Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Date Sheet
Lagernummer 42000
- 1+: $0.27127
- 10+: $0.25592
- 100+: $0.24143
- 500+: $0.22777
- 1000+: $0.21487
Zwischensummenbetrag $0.27127
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET x2
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:30V
- Drain current:6A
- Pulsed drain current:40A
- Case:PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage:±12V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 42000
- 1+: $0.27127
- 10+: $0.25592
- 100+: $0.24143
- 500+: $0.22777
- 1000+: $0.21487
Итого $0.27127