Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI9435BDY-T1-E3-VB
Изображение служит лишь для справки






SI9435BDY-T1-E3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 4.1A 42mΩ@10V,5.8A 1.3W 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 100
- 1+: $0.14268
- 10+: $0.13461
- 100+: $0.12699
- 500+: $0.11980
- 1000+: $0.11302
Zwischensummenbetrag $0.14268
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):42mΩ@10V,5.8A
- Power Dissipation (Pd):1.3W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):2V@250uA
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Тип:1 Piece P-Channel
Со склада 100
- 1+: $0.14268
- 10+: $0.13461
- 100+: $0.12699
- 500+: $0.11980
- 1000+: $0.11302
Итого $0.14268