(0)
Изображение служит лишь для справки
PTFA211801E
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 30260, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 26
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：30260, 2 PIN
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：GOLD
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Со склада 26
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
