(0)
Изображение служит лишь для справки
4N90L-TA3-T
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 2800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Описание пакета：TO-220, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：4 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：4.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：16 A
- Минимальная напряжённость разрушения：900 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：570 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：140 W
Со склада 2800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
