Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 50

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:18 Weeks
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of connector:pin strips
  • Соединитель:socket
  • Kind of connector:female
  • Spatial orientation:straight
  • Contacts pitch:1.27mm
  • Electrical mounting:THT
  • Connector pinout layout:2x8
  • Row pitch:1.27mm
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Date Of Intro:2017-01-07
  • Максимальный ток утечки (ID):40 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Время отключения макс. (toff):134 ns
  • Время включения макс. (ton):148 ns
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.065 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:116 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:600 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):226 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):250 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
  • Профиль:bronze

Со склада 50

Итого $0.00000