(0)
Изображение служит лишь для справки
SI7370DP-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 15265
- 1+： $1.43353
- 10+： $1.35238
- 100+： $1.27583
- 500+： $1.20362
- 1000+： $1.13549
Zwischensummenbetrag $1.43353
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：SMT
- Connector pinout layout：1x16
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID)：9.6 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-XDSO-C5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.011 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：50 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：5.2 W
- Профиль：beryllium copper
- Ток насыщения：1
Со склада 15265
- 1+： $1.43353
- 10+： $1.35238
- 100+： $1.27583
- 500+： $1.20362
- 1000+： $1.13549
Итого $1.43353
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
