(0)
Изображение служит лишь для справки
IRLML2060TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, MICRO-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：SOT-23
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, MICRO-3
- Максимальный ток утечки (ID)：1.2 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.48 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：4.8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.25 W
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
