(0)
Изображение служит лишь для справки
SI3493BDV-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 21000
- 1+： $1.08838
- 10+： $1.02677
- 100+： $0.96865
- 500+： $0.91382
- 1000+： $0.86209
Zwischensummenbetrag $1.08838
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6
- Максимальный ток утечки (ID)：8 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x24
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0275 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.97 W
- Профиль：beryllium copper
- Ток насыщения：1
Со склада 21000
- 1+： $1.08838
- 10+： $1.02677
- 100+： $0.96865
- 500+： $0.91382
- 1000+： $0.86209
Итого $1.08838
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
