(0)
Изображение служит лишь для справки
RD35HUF2
-
Mitsubishi Electric
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-8
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT PACKAGE-8
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x9
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-CDFM-F8
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Профиль：beryllium copper
Со склада 1000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
