Изображение служит лишь для справки






SGFCF10S-DT1
-
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, Z2D, 6 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:GALLIUM NITRIDE
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-N6
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:160 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):HIGH ELECTRON MOBILITY
- Частотная полоса наивысшего режима:S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000