(0)
Изображение служит лишь для справки
IMW65R048M1H
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 27090
- 1+： $17.49252
- 10+： $16.50238
- 100+： $15.56828
- 500+： $14.68706
- 1000+： $13.85571
Zwischensummenbetrag $17.49252
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON CARBIDE
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Date Of Intro：2019-12-16
- Максимальный ток утечки (ID)：39 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Сопротивление открытого канала-макс：0.064 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：100 A
- Минимальная напряжённость разрушения：650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：171 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：13 pF
Со склада 27090
- 1+： $17.49252
- 10+： $16.50238
- 100+： $15.56828
- 500+： $14.68706
- 1000+： $13.85571
Итого $17.49252
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
