Изображение служит лишь для справки






SI5853CDC-T1-E3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1206-8, CHIPFET-8
Date Sheet
Lagernummer 450
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1206-8, CHIPFET-8
- Максимальный ток утечки (ID):2.9 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-XDSO-C8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.104 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):3.1 W
- Ток насыщения:1
Со склада 450
Итого $0.00000