(0)
Изображение служит лишь для справки
RQK0609CQDQSTL-E
-
Renesas Electronics Corporation
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- 4A, 60V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-62, UPAK-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код упаковки компонента：SC-62
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Максимальный ток утечки (ID)：4 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.125 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5 W
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
