(0)
Изображение служит лишь для справки
SIA533EDJ-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.46772
- 10+： $0.44124
- 100+： $0.41627
- 500+： $0.39271
- 1000+： $0.37048
Zwischensummenbetrag $0.46772
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6
- Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.034 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：12 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：7.8 W
- Ток насыщения：1
Со склада 3000
- 1+： $0.46772
- 10+： $0.44124
- 100+： $0.41627
- 500+： $0.39271
- 1000+： $0.37048
Итого $0.46772
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
