Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI7216DN-T1-E3

Lagernummer 562

  • 1+: $0.77101
  • 10+: $0.72736
  • 100+: $0.68619
  • 500+: $0.64735
  • 1000+: $0.61071

Zwischensummenbetrag $0.77101

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:2
  • Type of cable accessories:cable chain
  • Радиус изгиба:125mm
  • Версия:frames openable from inner radius,
  • External height:49mm
  • External width:80mm
  • Internal height:35mm
  • Internal width:60mm
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
  • Максимальный ток утечки (ID):6.5 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:SQUARE
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:S-XDSO-C6
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.032 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:20 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):5 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):20.8 W
  • Ток насыщения:1
  • Длина:1m

Со склада 562

  • 1+: $0.77101
  • 10+: $0.72736
  • 100+: $0.68619
  • 500+: $0.64735
  • 1000+: $0.61071

Итого $0.77101