(0)
Изображение служит лишь для справки
SQS484ENW-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 68
- 1+： $1.07072
- 10+： $1.01012
- 100+： $0.95294
- 500+： $0.89900
- 1000+： $0.84811
Zwischensummenbetrag $1.07072
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：25 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：16 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：S-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0105 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：64 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：31.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
Со склада 68
- 1+： $1.07072
- 10+： $1.01012
- 100+： $0.95294
- 500+： $0.89900
- 1000+： $0.84811
Итого $1.07072
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
