Изображение служит лишь для справки






SQS484ENW-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 68
- 1+: $1.07072
- 10+: $1.01012
- 100+: $0.95294
- 500+: $0.89900
- 1000+: $0.84811
Zwischensummenbetrag $1.07072
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:25 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID):16 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:S-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0105 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:64 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):31.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 68
- 1+: $1.07072
- 10+: $1.01012
- 100+: $0.95294
- 500+: $0.89900
- 1000+: $0.84811
Итого $1.07072