(0)
Изображение служит лишь для справки
SI3552DV-T1-E3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 2405
- 1+： $0.63382
- 10+： $0.59795
- 100+： $0.56410
- 500+： $0.53217
- 1000+： $0.50205
Zwischensummenbetrag $0.63382
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：TSOP-6
- Максимальный ток утечки (ID)：2.5 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：28 ns
- Время включения макс. (ton)：25 ns
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MO-193AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.105 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
Со склада 2405
- 1+： $0.63382
- 10+： $0.59795
- 100+： $0.56410
- 500+： $0.53217
- 1000+： $0.50205
Итого $0.63382
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
