(0)
Изображение служит лишь для справки
SI8805EDB-T2-E1
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.80 X 0.80 MM, 0.357 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT-4
Date Sheet
Lagernummer 17000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：0.80 X 0.80 MM, 0.357 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT-4
- Максимальный ток утечки (ID)：3.1 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：S-PBGA-B4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.088 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：8 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.9 W
- Ток насыщения：1
Со склада 17000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
