Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SUM55P06-19L-E3

Lagernummer 11200

  • 1+: $3.54196
  • 10+: $3.34147
  • 100+: $3.15233
  • 500+: $2.97390
  • 1000+: $2.80556

Zwischensummenbetrag $3.54196

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:19 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
  • Максимальный ток утечки (ID):55 A
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Номинальный ток:5 A
  • Housing mounting:through hole in the housing
  • Номинальное напряжение:600 V
  • Wire cross-section:2.5 mm2
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Цвет:white
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-263AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.019 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:150 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):101 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):125 W
  • Ток насыщения:1

Со склада 11200

  • 1+: $3.54196
  • 10+: $3.34147
  • 100+: $3.15233
  • 500+: $2.97390
  • 1000+: $2.80556

Итого $3.54196