(0)
Изображение служит лишь для справки
SI5419DU-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, THIN, POWERPAK, CHIPFET-8
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.48631
- 10+： $0.45878
- 100+： $0.43282
- 500+： $0.40832
- 1000+： $0.38520
Zwischensummenbetrag $0.48631
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, THIN, POWERPAK, CHIPFET-8
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-N3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.02 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：31 W
- Ток насыщения：1
Со склада 3000
- 1+： $0.48631
- 10+： $0.45878
- 100+： $0.43282
- 500+： $0.40832
- 1000+： $0.38520
Итого $0.48631
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
