Изображение служит лишь для справки






SQJ963EP-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.085ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 25
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Transport packaging size / quantity:62*27.5*28/600
- Relative humidity:45...85 %
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:1206
- Case - mm:3216
- Capacitors series:KGM
- Допуск:±10%
- Код ECCN:EAR99
- Капацитивность:0.33nF
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Диэлектрик:X7R
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.085 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:25 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Контакты:3 Wire (wired leads)
Со склада 25
Итого $0.00000