Изображение служит лишь для справки






SQJ479EP-T1_GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks, 3 Days
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
- Date Of Intro:2016-07-19
- Максимальный ток утечки (ID):32 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.033 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:100 A
- Минимальная напряжённость разрушения:80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):80 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 9000
Итого $0.00000