(0)
Изображение служит лишь для справки
SI7611DN-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 40V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet
Lagernummer 12000
- 1+： $2.22743
- 10+： $2.10135
- 100+： $1.98240
- 500+： $1.87019
- 1000+： $1.76433
Zwischensummenbetrag $2.22743
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
- Максимальный ток утечки (ID)：9.3 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：S-XDSO-C5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.025 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：20 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：26 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：39 W
- Ток насыщения：1
Со склада 12000
- 1+： $2.22743
- 10+： $2.10135
- 100+： $1.98240
- 500+： $1.87019
- 1000+： $1.76433
Итого $2.22743
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
