NTB13N10

Name: ON Semiconductor NTB13N10
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 737

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：64.7W Ta
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：235
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：13A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：64.7W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：165m Ω @ 6.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：40ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：13A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.165Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Максимальный импульсный ток вывода：39A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：85 mJ
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 737

Итого $0.00000