NTB30N06LG

Name: ON Semiconductor NTB30N06LG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 690

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：88.2W Tc
Время отключения：15.6 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：30A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：88.2W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：46m Ω @ 15A, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1150pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：32nC @ 5V
Время подъема：200ns
Угол настройки (макс.)：±15V
Время падения (тип)：62 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：15V
Сопротивление открытого канала-макс：0.046Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：90A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：101 mJ
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 690

Итого $0.00000