2N7000RLRMG

Name: ON Semiconductor 2N7000RLRMG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Покрытие контактов：Copper, Silver, Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：350mW Tc
Время отключения：10 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Box (TB)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Моментальный ток：200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：350mW
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：60pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：200mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
Сопротивление открытого канала-макс：5Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000