(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5305LPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF5305LPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
Date Sheet
Lagernummer 460
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-262
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 110W Tc
- Время отключения：39 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2003
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：60mOhm
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：110W
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60mOhm @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63nC @ 10V
- Время подъема：66ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：63 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：-31A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-55V
- Входной ёмкости：1.2nF
- Сопротивление стока к истоку：60mOhm
- Rds на макс.：60 mΩ
- Номинальное Vgs：-4 V
- Высота：9.65mm
- Длина：10.668mm
- Ширина：4.826mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 460
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
