IRF6641TR1PBF

Name: Infineon Technologies IRF6641TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (12 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DirectFET™ Isometric MZ
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Date Sheet

Lagernummer 593

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric MZ
Количество контактов：5
Поставщик упаковки устройства：DIRECTFET™ MZ
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.6A Ta 26A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.8W Ta 89W Tc
Время отключения：31 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2007
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-40°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Моментальный ток：4.6A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：89W
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.9V @ 150μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2290pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48nC @ 10V
Время подъема：11ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：6.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Двухпитание напряжения：200V
Входной ёмкости：2.29nF
Время восстановления：130 ns
Сопротивление стока к истоку：59.9mOhm
Rds на макс.：59.9 mΩ
Номинальное Vgs：4 V
Высота：506μm
Длина：6.35mm
Ширина：5.05mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 593

Итого $0.00000