(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFS3607PBF
Изображение служит лишь для справки
IRFS3607PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS +/-2
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：140W Tc
- Время отключения：43 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2008
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：140W
- Время задержки включения：16 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9m Ω @ 46A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3070pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：84nC @ 10V
- Время подъема：110ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：96 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Пороговое напряжение：4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：75V
- Двухпитание напряжения：75V
- Время восстановления：50 ns
- Номинальное Vgs：4 V
- Высота：4.826mm
- Длина：10.668mm
- Ширина：9.65mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
