(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF6722MTR1PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF6722MTR1PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- DirectFET™ Isometric MP
- MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Date Sheet
Lagernummer 243
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric MP
- Количество контактов：5
- Поставщик упаковки устройства：DIRECTFET™ MP
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A Ta 56A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.3W Ta 42W Tc
- Время отключения：9.5 ns
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2007
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Распад мощности：42W
- Время задержки включения：11 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.7mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 50μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 4.5V
- Время подъема：7.8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：6.1 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：13A
- Пороговое напряжение：1.8V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：1.3nF
- Время восстановления：29 ns
- Сопротивление стока к истоку：10.8mOhm
- Rds на макс.：7.7 mΩ
- Высота：508μm
- Длина：6.35mm
- Ширина：5.05mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 243
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
