IRF6727MTR1PBF

Name: Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (7 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Date Sheet

Lagernummer 319

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric MX
Количество контактов：7
Поставщик упаковки устройства：DIRECTFET™ MX
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Ta 180A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.8W Ta 89W Tc
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2007
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-40°C
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2.8W
Время задержки включения：21 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.7mOhm @ 32A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.35V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6190pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：74nC @ 4.5V
Время подъема：31ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：16 ns
Непрерывный ток стока (ID)：32A
Пороговое напряжение：1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Входной ёмкости：6.19nF
Время восстановления：41 ns
Сопротивление стока к истоку：2.4mOhm
Rds на макс.：1.7 mΩ
Номинальное Vgs：1.8 V
Высота：508μm
Длина：5.45mm
Ширина：5.05mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 319

Итого $0.00000