IRF6715MTR1PBF

Name: Infineon Technologies IRF6715MTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (19 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
Date Sheet

Lagernummer 331

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric MX
Количество контактов：7
Поставщик упаковки устройства：DIRECTFET™ MX
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：34A Ta 180A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.8W Ta 78W Tc
Время отключения：16 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2007
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-40°C
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2.8W
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6mOhm @ 34A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5340pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：59nC @ 4.5V
Время подъема：31ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：12 ns
Непрерывный ток стока (ID)：34A
Пороговое напряжение：1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Двухпитание напряжения：25V
Входной ёмкости：5.34nF
Время восстановления：42 ns
Сопротивление стока к истоку：2.7mOhm
Rds на макс.：1.6 mΩ
Номинальное Vgs：1.9 V
Высота：508μm
Длина：5.45mm
Ширина：5.05mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 331

Итого $0.00000